张辉
,
滕蛟
,
于广华
,
吴杏芳
,
朱逢吾
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.06.009
采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.
关键词:
NiFe膜
,
各向异性磁电阻(AMR)
,
AMR元件
,
非均匀退磁场
,
磁化反转
