沈连成
,
何健英
,
宿彦京
,
褚武扬
,
乔利杰
金属学报
对Ni2MnGa铁磁形状记忆合金的缺口试样, 通过在微分干涉相衬显微镜下原位拉伸, 研究了裂纹形核、扩展和马氏体相变以及塑性变形的关系. 结果表明, 拉伸时首先形成马氏体, 当裂尖应力集中足够大时就会在裂尖产生局部塑性区, 微裂纹易于沿马氏体界面形核, 但也可在塑性区中形核. 随载荷升高, 微裂纹沿马氏体不连续形核, 通过韧带剪切连接, 从而导致裂纹扩展阻力也随裂纹扩展而增大.
关键词:
Ni2MnGa
,
Ni2MnGa
,
in situ tension
,
martensite
刘岩
,
江伯鸿
,
周伟敏
,
王锦昌
,
冯楚德
,
谢华清
,
倪沛汶
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.001
Ni2MnGa晶体同时具有强铁磁性、大磁致伸缩、温控和磁控形状记忆效应，其磁控形状记忆效应的响应频率接近压电陶瓷，输出应变和应力接近温控形状记忆合金，是近年来发现的一类新型功能晶体．Ni2MnGa晶体77K时在[001]方向，仅2MPa的预应力即可产生5％的温控可回复应变，已接近TiNi合金6％～8％的可回复应变量；非化学剂量的Ni2MnGa晶体室温条件下在[001]方向，6 kOe外磁场已诱发产生0．31％的输出应变，远超过巨磁致伸缩材料Terfenol-D输出应变0．17％的水平．由于该晶体在磁场控制下表现出的大输出应变和应力，以及响应频率快和可精确控制的综合特性，使其可能在声纳、微位移器、线性马达、微波器件、振动和噪声控制、机器人和智能结构等诸多领域有重要应用，成为未来新一代驱动器和传感器材料．本文综述了Ni2MnGa单晶的基本性能、磁控形状记忆效应的机理、本质以及影响性能的因素等．
关键词:
Ni2MnGa
,
磁诱发应变
,
磁控形状记忆效应
,
磁致伸缩
,
马氏体相变
蒋成保
,
刘敬华
,
张涛
,
徐惠彬
金属学报
采用超高温度梯度真空区熔法定向凝固制备了Ni2MnGa晶体, 改变晶体生长速度、温度梯度和熔区长度, 获得了平直的固-液生长界面, 制备出Ni2MnGa单晶. 用光学显微镜观察了Ni50Mn29Ga21晶粒的竞争生长过程. 制备的定向凝固试样无宏观成分偏析. X射线衍射分析仅显示四方结构马氏体Ni2MnGa 400峰和004峰, 晶体生长轴向择优取向为立方奥氏体<100>方向. 采用差式扫描量热分析(DSC)和热重法(TG)分别测定试样中不同部位的相转变温度和Curie温度. 在稳定生长区, 沿轴向马氏体相变温度在10 ℃左右变化, 而Curie温度几乎没有变化. 这进一步表明采用该方法制备的Ni2MnGa晶体沿轴向成分
均匀, 且马氏体相变温度一致.
关键词:
Ni2MnGa
,
crystal growth
,
unidirectional solidification
刘岩
,
江伯鸿
,
周伟敏
,
王锦昌
,
冯楚德
,
谢华清
,
倪沛汶
无机材料学报
Ｎｉ２ＭｎＧａ晶体同时具有强铁磁性、大磁致伸缩、温控和磁控形状记忆效应，其磁控形状记忆效应的响应频率接近压电陶瓷，输出应变和应力接近温控形状记忆合金，是近年来发现的一类新型功能晶体．Ｎｉ２ＭｐＧａ晶体７７Ｋ时在［００１］方向，仅２ＭＰａ的预应力即可产生５％的温控可回复应变，已接近 ＴｉＮｉ合金 ６％～８％的可回复应变量；非化学剂量的 Ｎｉ。ＭｎＧａ晶体室温条件下在［００１］方向， ６ ｈＯｅ外磁场已诱发产生 ０．３１％的输出应变，远超过巨磁致伸缩材料Ｔｅｒｆｅｎｏｌ－Ｄ输出应变０．１７％的水平．由于该晶体在磁场控制下表现出的大输出应变和应力，以及响应频率快和可精确控制的综合特性，使其可能在声纳、微位移器、线性马达、微波器件、振动和噪声控制、机器人和智能结构等诸多领域有重要应用，成为未来新一代驱动器和传感器材料．本文综述了Ｎｉ２ＭｎＧａ单晶的基本性能、磁控形状记忆效应的机理、本质以及影响性能的因素等。
关键词:
Ni2MnGa
,
magnetic-field-induced strain
,
magnets-shape-memory effect
,
magnetostrictive
,
martensitic transformation
刘岩
,
艾飞
,
卢斌
,
周燕飞
,
潘志雷
,
金蔚青
功能材料
利用差示扫描量热计(DSC)研究了非化学计量Ni1.95Mn1.36Ga0.69合金的马氏体相变及结构有序化处理条件.根据DSC峰型特征的变化,可确定在800℃进行结构有序化处理是合适的.在800℃又进行了不同保温时间的处理,并测定了马氏体相变的特征温度.马氏体相变特征温度随保温时间的增加呈规律变化,相变热滞随保温时间的增加呈下降趋势.经50h的有序化处理后,再继续延长保温时间,马氏体相变特征温度和热滞均不再有明显变化.本文研究结果表明,对于Ni1.95Mn1.36Ga0.69合金,应选用800℃×50h的结构有序化处理工艺.
关键词:
Ni2MnGa
,
磁控形状记忆合金
,
结构有序化
,
马氏体相变
蒋成保
,
刘敬华
,
张涛
,
徐惠彬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.09.015
采用超高温度梯度真空区熔法定向凝固制备了Ni2MnGa晶体,改变晶体生长速度、温度梯度和熔区长度,获得了平直的固-液生长界面,制备出Ni2MnGa单晶.用光学显微镜观察了Ni50Mn29Ga21晶粒的竞争生长过程.制备的定向凝固试样无宏观成分偏析.X射线衍射分析仅显示四方结构马氏体Ni2MnGa 400峰和004峰,晶体生长轴向择优取向为立方奥氏体〈100〉方向.采用差式扫描量热分析(DSC)和热重法(TG)分别测定试样中不同部位的相转变温度和Curie温度.在稳定生长区,沿轴向马氏体相变温度在10℃左右变化,而Curie温度几乎没有变化.这进一步表明采用该方法制备的Ni2MnGa晶体沿轴向成分均匀,且马氏体相变温度一致.
关键词:
Ni2MnGa
,
晶体生长
,
定向凝固
,
固-液界面
,
择优取向
沈连成
,
何健英
,
宿彦京
,
褚武扬
,
乔利杰
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.08.006
对Ni2MnGa铁磁形状记忆合金的缺口试样,通过在微分干涉相衬显微镜下原位拉伸,研究了裂纹形核、扩展和马氏体相变以及塑性变形的关系.结果表明,拉伸时首先形成马氏体,当裂尖应力集中足够大时就会在裂尖产生局部塑性区,微裂纹易于沿马氏体界面形核,但也可在塑性区中形核.随载荷升高,微裂纹沿马氏体不连续形核,通过韧带剪切连接,从而导致裂纹扩展阻力也随裂纹扩展而增大.
关键词:
Ni2MnGa
,
原位拉伸
,
马氏体
,
裂纹形核
吴双霞
,
韩莉
,
黄继民
,
郝宏波
,
张光睿
,
赵增祺
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2008.05.021
制备了多晶合金Ni54Mn21Ga25和Ni54Mn21Ga24.5Sm0.3.通过XRD分析了合金的相组成,运用SEM观察了合金的微观组织、第二相形貌;通过EDAX对第二相化学成分进行了定性、定量分析.结果表明,Sm极小部分固溶在基体中,大部分以富Sm的第二相存在,一部分富集在晶粒的晶界处,呈断续网络状分布,还有一部分分布在晶粒内部.
关键词:
Ni2MnGa
,
稀土
,
能谱分析
郑馥
,
蔡伟
,
赵连城
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.04.019
用"固体与分子经验电子理论"研究了Ni2MnGa合金的价电子结构,研究结果表明,在Ni2MnGa中,Ni的杂化状态为A'种杂化第2阶;Mn的杂化状态为B种杂化第9阶,Ga为A种第9阶杂化.Ni的原子磁矩计算值为3.8666μB,与试验值4μB十分接近.最强的共价键是Ni-Mn键,其上的共价电子对数为0.577,其次为Ni-Ga键,其价电子对数为0.542,其它键上的共价电子对数小于0.2.
关键词:
Ni2MnGa
,
经验电子理论
,
价电子
