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含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3电容器的制备及铁电性能研究

赵庆勋 , 齐晨光 , 贾冬梅 , 付跃举 , 郭建新 , 刘保亭

人工晶体学报

采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5 Sr0.5 CoO3 (LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器.使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试.实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好.LSCO/PZT/LSCO电容器在5V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度Pr为35.5 μC/cm2,矫顽电压Vc为1.42V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性.

关键词: Ni-Nb阻挡层 , Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3 , La0.5Sr0.5CoO3

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