张明义
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王永欣
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陈铮
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张静
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赵彦
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甄辉辉
金属学报
利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L12相间有序畴界面，对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究。研究表明L12有序畴间存在三种稳定界面以及两种过渡型界面；界面的迁移性与界面结构有关，(001)L12和(002)L12对应、(001)L12和(001)L12对应且有两个Ni原子的稳定界面可以迁移，迁移前后界面结构保持不变，且在迁移的过程中形成过渡型界面；而(001)L12和(002)L12对应且有一个Ni原子的稳定界面则不可迁移；合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向，Al原子在所有界面处贫化，V原子在所有界面处偏聚，Ni原子在可迁移界面处贫化，在不可迁移界面处偏聚，且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度也不一样。
关键词:
Ni-Al-V
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atomic accumulation
,
microscopic structure
,
microscopic phase-field
