王洪涛
,
郑毅
,
陈学枝
,
许祝安
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.005
用气相输运法制备了准一维结构的NbSe3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系.在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷.NbSe3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe3样品分别在Tp1＝145 K和Tp2＝57 K经历两次Peierls相变,剩余电阻比RRR高于200.根据对不同样品的ρ-T曲线的研究指出,以前的文献用剩余电阻比估计杂质浓度ni的方法是一个错误,并提出了改进措施.
关键词:
材料科学基础学科
,
Peierls相变
,
NbSe3单晶
,
剩余电阻比
,
电荷密度波
,
杂质浓度
