施建荣
,
康琳
,
蔡卫星
,
陈亚军
,
吉争鸣
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.060
本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.
关键词:
NbN
,
AlN
,
NbN/AlN/NbN
,
磁控溅射
,
射频磁控溅射
