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SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析

宋朝瑞 , 程新红 , 何大伟 , 徐大伟

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.020

本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究.高分辨透射电镜(HRTEM)测试表明退火后薄膜是结晶的,同步辐射X射线反射率(XRR)和X射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构,有0.5nm的界面层存在,X射线光电子谱(XPS)表明界面层主要成分是SiOx,介质层与SiGe衬底之间的价带偏移是2.9eV.电学测试分析给出的等效栅氧厚度和介电常数分别是1.8nm和19.

关键词: NbAlO栅介质 , 价带偏移 , 超晶格