熊志勇
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胡建力
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李振松
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邹超
材料科学与工程学报
采用液相法制备了Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线.对纳米线生长过程的分析表明,纳米线生长遵循溶液-固态-固相机理.前驱体首先受热分解形成Cu1.75S纳米晶,利用其结构中存在的Cu+空位溶解In3+和Zn2+,达到饱和后析出晶体形成Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)分析表明,纳米线呈曲折Z形,长度为5μm,具有纤锌矿结构.
关键词:
纳米线
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催化
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Cu0.4In0.4Zn1.2S2
,
硫化亚铜
