杨荣
,
李俊峰
,
钱鹤
,
韩郑生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.011
提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅长的NMOS对应参数则为21.3 GHz和4.8 V;采用开发的局部介质增厚技术后,2 nH、5 nH、10 nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6.5、5.0、4.0,相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4.3、3.2、2.3),分别改善了77%,58%,49%.
关键词:
射频
,
绝缘硅
,
LDMOS
,
NMOS
,
电感
,
结构
,
制造
