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非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究

高锦成 , 李正亮 , 曹占锋 , 姚琪 , 关峰 , 惠官宝

硅酸盐通报

为优化金属氧化物薄膜晶体管（ IGZO-TFT）的特性，采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层，制备出具有刻蚀阻挡层（ Etch stop layer ，ESL）结构的IGZO TFT，在2．5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2 O等离子体处理、ESL的制备...

关键词: 铟镓锌氧化物薄膜晶体管 , 刻蚀阻挡层 , N2 O等离子体 , 阈值电压