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80 keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响

臧航 , 王志光 , 魏孔芳 , 孙建荣 , 姚存峰 , 申铁龙 , 马艺准 , 杨成绍 , 庞立龙 , 朱亚斌

原子核物理评论

室温下用80 keV N离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.0×10~(14),5.0×10~(15)和5.0×10~(16) ions/cm~2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征.实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0×10~(15) ions/cm~2时,观测到缺陷生成和局域无序化现象,但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向;随着注量的增大,晶格常数c和压应力呈增大趋势.对注入N离子对ZnO薄膜结构特性的影响机理进行了简单的讨论.

关键词: ZnO薄膜 , N离子注入 , X射线衍射 , 透射电镜

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