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N-E模型描写的弱锚定边界条件下的Freedericksz转变

孙宗利 , 张志东 , 魏怀鹏

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.06.005

N-E模型具有两个参数用于描写液晶在基板上的锚定能.采用该模型研究了弱锚定条件下的Freedericksz转变.通过变分理论得到指向矢满足的微分方程和边界条件,得到了阈值磁场和饱和磁场分别满足的方程.理论结果与R-P模型进行了比较.通过阈值磁场和饱和磁场可以确定N-E模型中的两个参数.基于微分方程和边界条件对液晶盒中的指向矢分布进行了计算.数值结果验证了阈值磁场和饱和磁场满足解析方程的正确性.得到结论:N-E模型是描写液晶在基板上弱锚定的候选模型.

关键词: 液晶 , 锚定能 , N-E模型 , 阈值磁场 , 饱和磁场