胡侨丹
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罗蓬
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李建国
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严有为
金属学报
在建立电场活化烧结(field activated sintering, FAS)过程模型基础上, 对FAS工艺制备MoSi2-SiC复合材料的温度场进行了有限元模拟. 结果表明, 在FAS过程中, 模具-试样系统中的温度场特性是电场Joule热、体系化学反应热与模具传热效应的综合结果. 在烧结过程中, 由于Joule热与化学热的叠加作用, 试样中心温度最高, 并沿径向与轴向形成温度梯度, 从而在晶粒尺寸与致密化程度方面影响合成材料的组织均匀性. 此模拟结果为温度梯度的合理控 制提供了理论依据, 有助于获得组织均匀、晶粒细小且致密性高的复合材料.
关键词:
电场活化烧结（FAS）
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MoSi2-SiC composite
Z.Q. Sun
金属学报(英文版)
The in situ synthesized MoSi2-SiC composite is proved to be of higher fracture tough-ness than the monolithic MoSi2. The TEM and HREM study reveals that the interfacebetween MoSi2/SiC is of direct atomic bonding without any amorphous glassy phase,such the SiO2 structure. Based on the fractography and the observation of crack prop-agation path from indentation, it is concluded that the toughening of such compositeat room temperature can be attributed to the high interfacial binding energy, the re-finement of the MoSi2 matrix and the defection and bridging behavior in the crackpropagation.
关键词:
MoSi2-SiC composite
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null
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null
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null
张来启
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段立辉
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林均品
材料研究学报
研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在700℃空气中1000h的长期氧化行为.结果表明:复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象.复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料).复合材料氧化膜相组成仅为非晶SiO2,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化.材料在700℃下仍发生硅、钼的同时氧化,因MoO3的挥发较快没有晶须形成,因而在材料表面快速形成一薄层连续、致密的非晶SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期抗氧化性.
关键词:
材料失效与保护
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MoSi2-SiC复合材料
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原位合成
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低温氧化行为
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pest现象
张来启
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潘昆明
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段立辉
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林均品
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00527
研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为.经1000 h氧化的结果表明:复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料),复合材料氧化1000 h后未发生pest现象.其氧化动力学曲线分为:孕育期、快速氧化期和稳态氧化3个阶段.氧化膜的相组成为MoO3,非晶SiO2和β-SiC,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化.氧化5,10和20 h后样品表面形貌观察结果表明:材料的氧化优先在相界处发生,初生氧化物以无定形态存在；随着氧化的进行,逐渐形成MoO3晶须和非晶SiO2为主的团絮状氧化物；MoO3晶须优先在表面凸凹不平处形核并长大.
关键词:
原位合成
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MoSi2-SiC复合材料
,
低温氧化行为
,
pest现象
