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检索条件:关键词=MoSi2-SiC复合材料  

  • 论文(11)

熔渗反应法制备MoSi2-SiC复合材料性能的影响因素

张小立 , 吕振林 , 金志浩

稀有金属材料与工程

用熔渗反应无压烧结技术制备了MoSi2-SiC复合材料,对制备过程的影响因素进行了分析.研究结果表明:在渗硅温度为1 450℃时,反应生成颗粒细小、弥散分布的SiC相,从而使得材料具有较高的抗弯强度;当渗硅温度升高至1 750℃时,生成的SiC相发生再结晶长大,使得材料强度下降.成型压力对熔渗硅样品...

关键词: MoSi2-SiC复合材料 , 抗弯强度 , 电阻率 , 熔渗温度 , 成型压力

原位合成MOSi2-SiC复合材料的高温强化

孙祖庆 , 张来启 , 杨王 , 王月 , 傅晓伟

金属学报

采用高温压缩实验研究了不同体积分数SiC含量对原位合成MoSi2-SiC复合材料在1000--1400℃的屈服强度及流变应力的影响.结果表明,与单一MoSi2材料相比,复合材料的高温强度随SiC含量的增加而明显提高高温屈服强度σv和第二相SiC粒子间距λs服从σy=σ0+kλ-1s2关系式.结合组织...

关键词: MoSi2-SiC复合材料 , null

原位合成MoSi2-SiC复合材料的室温增韧

孙祖庆 , 张来启 , 杨王玥 , 傅晓伟 , 朱静

金属学报

原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明:原位合成MoSi2/SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在结合对该复合材料的KIc断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为MoSi2-SiC界面间较高的...

关键词: MoSi2-SiC复合材料 , null

原位合成MoSi2-SiC复合材料700℃的氧化行为

张来启 , 段立辉 , 林均品

材料研究学报

研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在700℃空气中1000h的长期氧化行为.结果表明:复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象.复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复...

关键词: 材料失效与保护 , MoSi2-SiC复合材料 , 原位合成 , 低温氧化行为 , pest现象

原位合成MoSi2一SiC复合材料的室温增韧

孙祖庆 , 张来启 , 杨王玥 , 傅晓伟 , 朱静

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.01.022

原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明:原位合成MoSi2/SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在结合对该复合材料的KIc断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为MoSi2-SiC界面间较高的...

关键词: MoSi2-SiC复合材料 , 原位合成 , 断裂 , 室温增韧

原位SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的显微组织和力学性能

张来启 , 孙祖庆 , 张跃 , 杨王玥 , 陈光南

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.03.022

本文研究了原位SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的组织结构和力学性能结果表明:复合材料的组织为t-MoSi2基体上均匀分布β-SiC等轴颗粒,数量很少的球形小孔隙主要分布在SiC颗粒内,SiC颗粒尺寸为2-5μm.复合材料界面为直接的原子结合,无非晶层存在.复合材料的室温维氏硬度、断裂韧性、抗压强度...

关键词: 原位反应 , MoSi2-SiC复合材料 , 组织结构 , 力学性能

原位合成MOSi2-SiC复合材料的高温强化

孙祖庆 , 张来启 , 杨王明 , 傅晓伟

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.04.007

采用高温压缩实验研究了不同体积分数SiC含量对原位合成MoSi2-SiC复合材料在1000--1400℃的屈服强度及流变应力的影响.结果表明,与单一MoSi2材料相比,复合材料的高温强度随SiC含量的增加而明显提高高温屈服强度σv和第二相SiC粒子间距λs服从σy=σ0+kλ-1s2关系式.结合组织...

关键词: MoSi2-SiC复合材料 , 原位合成 , 相间障碍强化 , 高温压缩

电场活化烧结MoSi2-SiC复合材料的温度场有限元模拟

胡侨丹 , 罗蓬 , 李建国 , 严有为

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.10.021

在建立电场活化烧结(field activated sintering,FAS)过程模型基础上,对FAS工艺制备MoSi2-SiC复合材料的温度场进行了有限元模拟.结果表明,在FAS过程中,模具-试样系统中的温度场特性是电场Joule热、体系化学反应热与模具传热效应的综合结果.在烧结过程中,由于Jo...

关键词: 电场活化烧结(FAS) , MoSi2-SiC复合材料 , 温度场 , 有限元模拟

原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为

张来启 , 潘昆明 , 段立辉 , 林均品

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00527

研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为.经1000 h氧化的结果表明:复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料),复合材料氧化1000 h后未发生pest...

关键词: 原位合成 , MoSi2-SiC复合材料 , 低温氧化行为 , pest现象

电场活化烧结MoSi2-SiC复合材料的温度场有限元模拟

胡侨丹 , 罗蓬 , 李建国 , 严有为

金属学报

在建立电场活化烧结(field activated sintering, FAS)过程模型基础上, 对FAS工艺制备MoSi2-SiC复合材料的温度场进行了有限元模拟. 结果表明, 在FAS过程中, 模具-试样系统中的温度场特性是电场Joule热、体系化学反应热与模具传热效应的综合结果. 在烧结过程...

关键词: 电场活化烧结(FAS) , MoSi2-SiC composite

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