欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(19)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

Mn掺杂(Nal-xKx)0.5Bi0.5TiO3性能研究及其在滤波器上的应用

郑严艳 , 江向平 , 江福兰 , 刘利华

稀有金属材料与工程

研究了Mn掺杂对(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷性能的影响,并利用该材料研制出中频无铅压电陶瓷滤波器.Mn掺杂改善了(Na0.8K0.2)0.5Bi0.5TiO3体系陶瓷的压电性能,当Mn含量达到0.3%(质量分数)时,d33达到135 pC/N,kp=31%,Qm=183,适用于制作滤波器.采用厚度振动模式,制作出插入损耗为5 dB,中心频率为520 kHz,带宽大于10 kHz,阻带衰耗大于30 dB的中频无铅压电陶瓷滤波器.器件性能接近于同类含铅陶瓷中频滤波器(SFH系列).

关键词: (Na1-x)0.5Bi0.5TiO3 , 无铅压电陶瓷 , Mn掺杂 , 滤波器

多壁碳纳米管负载掺杂Cu/Mn二氧化钛的表征及脱硫性能

刘浩 , 杨宏旻 , 于贤群 , 鲍静静

工程热物理学报

本文利用溶胶凝胶法制备多壁碳纳米管负载TiO2及掺杂Cu/Mn的TiO2 (MWCNTs/TiO2,MWCNTs/CuTiO2及MWCNTs/Mn-TiO2).利用透射电镜(TEM),X射线衍射仪(XRD),X射线能谱仪(EDX)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对制备的光催化剂进行表征.结果表明Cu/Mn掺杂的光催化剂TiO2晶相以锐钛矿为主,晶粒尺寸较纯TiO2降低.DRS图谱表明MWCNTs/TiO2光吸收边拓展至可见光区域,而10% MWCNTs/Cu-TiO2及0.5% MWCNTs/Mn-TiO2在紫外可见光区域都有较强的光吸收强度.用固定床反应器,对光催化剂的脱硫性能进行研究,MWCNTs/TiO2具有较强的光催化脱硫能力,10% MWCNTs/Cu-TiO2及0.5% MWCNTs/Mn-TiO2的光催化脱硫效率分别提高至71%和69%.

关键词: 多壁碳纳米管/二氧化钛 , Cu掺杂 , Mn掺杂 , 光催化脱硫

核壳结构CdS:Mn/ZnS纳米晶的制备与光学性能研究

翟辉 , 曹立新 , 柳伟 , 苏革

功能材料

以3-巯基丙酸为稳定剂,采用共沉淀法在水相中合成了CdS∶Mn掺杂纳米晶,然后进一步将ZnS包覆于CdS∶Mn纳米晶表面,制备了CdS∶Mn/ZnS核壳结构纳米晶。利用X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)对纳米晶的结构、形貌和光学性质进行了表征,发现制备的纳米晶具有优秀的单分散性,确认合成了CdS∶Mn/ZnS核壳结构纳米晶。通过荧光光谱(PL)研究了纳米晶的发光性质和光稳定性,结果表明包覆壳层后纳米晶的发光强度显著提高,最高可达8倍,且Mn2+离子的发光峰峰位置随着ZnS壳层数的增加而红移。此外,核壳纳米晶的光稳定性大大提高。

关键词: CdS∶Mn/ZnS , 纳米晶 , 核壳结构 , Mn掺杂

Mn掺杂花状ZnO的合成及其光催化特性研究?

位子涵 , 孙永娇 , 赵振廷 , 梁燕飞 , 胡杰

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.09.016

采用液相沉积法,在室温条件下制备了不同Mn掺杂浓度(0,0.25%,0.5%和1.0%(摩尔分数))的花状ZnO 微结构.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对制备的花状ZnO 微结构的物相及形貌进行表征.以甲基橙溶液作为光催化反应模型污染物,对不同浓度的 Mn 掺杂花状ZnO 微结构的光催化性能进行了研究.实验结果表明,Mn在ZnO 材料中以两种形态存在,即进入晶格以Mn2+形式替代 Zn2+和以 Mn3 O4形式附着在ZnO 材料表面.且 Mn 掺杂提高了花状 ZnO 微球结构的光催化活性,当掺杂浓度为0.25%(摩尔分数)时光催化性能最优,紫外光照2.0 h 后,对甲基橙的光催化降解率可达88.7%.

关键词: 液相沉积法 , ZnO , Mn掺杂 , 甲基橙 , 光催化降解

TiFeSb基Half-Heusler热电材料的制备与热电性能

来忠红 , 马健 , 朱景川 , 赵荣达

稀有金属材料与工程

采用固相反应+放电等离子体两步法成功地制备了TiFeSb及Mn掺杂的(Ti0.75Mn0.25)FeSb两种P型Half-Heusler 热电材料,并对这两种新型热电材料体系的X射线衍射谱进行了计算模拟和试验研究,同时对其组织结构和热电性能进行了表征.试验结果表明,合成材料的X射线衍射试验谱可以与模拟计算谱很好的吻合;50℃时,TiFeSb的ZT值为0.011,而(Ti0.75Mn0.25)FeSb体系因Mn掺杂后电阻率大幅度下降,Seebeck系数变化不大,热导率下降了1.2 W·m-1.K-1,使得最终的功率因子较TiFeSb体系提高了3.5倍,ZT值提高了4.3倍.

关键词: Half-Heusler化合物 , TiFeSb , Mn掺杂 , 固相反应 , 放电等离子体烧结

Mn掺杂Li3Fe2(PO4)3正极材料的制备与表征

宋翠环 , 孙军康 , 黄富强 , 刘战强 , 何品刚

功能材料

通过固相反应法合成出Li3+xFe2-xMnxn(Po4)3(x-0~O.1)、Li3Fel.ω5Mn0.05(PO4)3和Li2.95Fe1.ωMnoN.05(PO4)3正极材料.采用行星式球磨方法,均匀混合正极材料和导电乙炔黑以提高活性材料的电子导电率和降低颗粒尺寸.Mn掺杂的Li3Fe2(PO4)3样品的恒电流充放电测试和伏安循环测试(2~4V)发现,所有样品中Fe3+/Fe2+氧化还原电对均有两个稳定的充放电平台(2.8、2.7V)、Li3+,Fe2-xMnxII(PO4)3和Li3Fe1.95Mn0.05(PO4)3中Mn3+/Mn2+电对的充放平台位于3.5V左右.不同价态Mn的掺杂均可明显提高正极材料的电化学性能,其中Mn掺杂样品的电化学性能最好,其中Li3.05Fel.95MnⅡ0.05(PO4)3/C的C/20和C/2恒流放电比容量分别可达11O和66mAh/g.

关键词: 锂离子电池正极材料 , Li3Fe2(PO4)3 , Mn掺杂 , 循环伏安法

Mn掺杂Ga2O3薄膜的结构及光吸收性能研究

胡帆 , 晁明举 , 梁二军 , 姜雅丽

材料导报

采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究.结果表明,适量掺杂Mn可抑制薄膜的晶格膨胀,促进Ga2O3薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的多面体晶粒.Mn掺杂使Ga2O3价带项向带隙延伸,光学带隙变窄,吸收边红移,近紫外区吸收增强.

关键词: Ga2O3薄膜 , Mn掺杂 , 磁控溅射 , 微观结构 , 光吸收性能

锰掺杂对(Na0.5Bi0.5)0.92Ba0.08TiO3压电陶瓷性能的影响

周小元 , 顾豪爽 , 李位勇 , 周桃生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.004

研究了 Mn掺杂对 (Na0.5Bi0.5)0.92Ba0.08TiO3系陶瓷介电、压电与铁电性能的影响. X- ray衍 射结构分析表明掺杂适量的 Mn得到单一的钙钛矿结构,无第二相出现.当添加 0.3 wt % MnCO3 时,介电常数达到 1850;矫顽场强 Ec降低至 3.54kV/mm;压电常数 d33达到 160× 10- 12 C/N.该 材料的温度稳定性也得到改善.

关键词: 钛酸铋钠陶瓷 , Mn掺杂 , 电滞回线 , 温度稳定性

Mn掺杂对磁性γ-Fe2O3低温SCR脱硝活性的影响

张信莉 , 王栋 , 陈莲芳 , 路春美 , 熊志波

工程热物理学报

采用共沉淀法制备一系列Fe1-xMnxOz(x为Mn物质的量比,x=0、0.1、0.3、0.5)磁性催化剂,考察Mn掺杂对γ-Fe2O3催化剂低温SCR脱硝活性的影响规律.结果表明,Mn掺杂能显著提高γ-Fe2O3的低温SCR脱硝活性,并拓宽其活性温度窗口;Fe0.7Mn0.3Oz催化剂的低温SCR脱硝活性最高,在125~200℃其NOx转化率约为100%.N2吸附及XRD分析结果表明,Mn的掺杂能优化γ-Fe2O3催化剂的孔隙结构及孔径分布,增大其比表面积和比孔容,并与催化剂中铁氧化物相互作用形成良好固溶体,从而提高γ-Fe2O3催化剂的低温SCR活性.

关键词: Mn掺杂 , 磁性γ-Fe2O3催化剂 , NOx转化率 , 低温SCR脱硝活性

Mn掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究

孙现科 , 周小东 , 周思华 , 王少辉 , 蒋卫华 , 孙春梅

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.07.009

目的:从原子水平探究Mn掺杂SiC薄膜的磁性起源。方法采用射频磁控溅射技术制备不同掺杂浓度的Mn掺杂SiC薄膜,并采用X射线衍射技术、X光电子能谱、同步辐射X射线近边吸收精细结构技术、物理性质测试系统对薄膜的结构、组分和磁性能进行研究。结果晶体结构和成分分析表明,1200℃退火后的薄膜形成了3 C-SiC晶体结构,且随着Mn掺杂浓度的增加,3 C-SiC晶体的特征峰向低角度移动。在Mn掺杂浓度(以原子数分数计)为3%,5%,7%的薄膜中,掺杂的Mn原子以Mn2+的形式存在;而在9%Mn掺杂的SiC薄膜中,则有第二相化合物Mn4 Si7形成。局域结构分析表明,薄膜中均不存在Mn金属团簇和氧化物,在3%,5%和7%Mn掺杂的薄膜中,掺杂的Mn原子主要以代替C位的形式进入3C-SiC晶格中,而在9%Mn掺杂的薄膜中,掺杂的Mn原子以C替位形式和Mn4 Si7共存。磁性测试表明,制备的Mn掺杂SiC薄膜具有室温铁磁性,且饱和磁化强度随着Mn掺杂浓度的提高而增加。结论薄膜的室温铁磁性是本征的,磁性来源与掺杂的Mn原子以Mn2+取代SiC晶格中C位后导致的缺陷有关,符合缺陷导致的束缚磁极子机制。

关键词: 磁控溅射 , SiC , Mn掺杂 , 铁磁性 , 缺陷

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 下一页
  • 末页
  • 共2页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词