王华
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黄竹
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许积文
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杨玲
人工晶体学报
以自制MgxZn1-xO:Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO:Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO:Al薄膜结构和光电性能的影响.X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO:Al薄膜为立方结构.当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域.退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600 ℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移.
关键词:
MgxZn1-xO:Al
,
紫外透明导电薄膜
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Mg掺杂
,
光电性能
