马宗青
,
刘永长
,
姜海
,
霍洁
,
董治中
,
余黎明
低温物理学报
SiC掺杂MgB_2体系由于其优异的超导性能而受到普遍关注并成为超导领域中一大研究热点,但是目前的研究大多集中在SiC对MgB_2超导性能的影响上,对SiC的加入对MgB_2烧结过程的影响研究很少,本文结合差热分析和物相鉴定,系统研究了SiC掺杂MgB_2体系的烧结过程,并在此基础上探究了其反应动力学机理.结果表明,在烧结过程中Mg先和B发生反应,随着温度的升高在Mg和B还没有反应完全的时候SiC和Mg继而开始反应,反应动力学分析表明该体系的固相反应阶段为相界面控制反应过程,其表观活化能为547. 5KJ/mol,指前因子为5. 76×10~(15) min~(-1).
关键词:
MgB_2
,
SiC掺杂
,
差热分析
,
反应动力学
孟胜
,
张从尧
,
冯庆荣
低温物理学报
通过混合物理化学气相沉积法(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD),我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB_2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温度是41.4K,转变宽度为0.5K,剩余电阻比率RRR～7.磁性质测量表明5K和零场下样品的临界电流密度达到了1.7×10~5A/cm~2.
关键词:
混合物理化学气相沉积法
,
MgB_2超导厚膜
,
R～T曲线
,
M～T曲线
,
M～H曲线
,
SEM图
