王银博
,
易声宇
,
冯庆荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.002
我们用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chernical vapor deposition简称为HPCVD)以氩气为背景气体,在不锈钢衬底上于不同条件下制备了一批MgB2超导薄膜样品.用扫描电子显微镜获取了相关的SEM图像,并对膜的成分进行了能谱分析(EDX)的.当把不锈钢衬底MgB2超导薄膜弯曲不同角度之后,膜面上均出现了裂纹.裂纹的数量和宽度随弯曲的角度的增大而增加,但是膜始终紧紧地覆着在衬底上不脱落.因此我们可以说覆着在不锈钢衬底上的MgB2超导薄膜具有了很好的韧性.在膜中我们也发现有大量的数十纳米大小的晶粒.这个尺寸的纳米粒子的作用可以用来平衡MgB2膜内结构和表面晶粒的活性之间的相互作用.MgB2纳米粒子的存在是MgB2超导膜表现出韧性的关键角色.
关键词:
混合物理化学气相沉积法(HPCVD)
,
MgB2超导薄膜
,
不锈钢衬底
,
韧性
,
纳米粒子
周章渝
,
侯雪
,
杨晓玲
,
陈会
,
王松
,
卢海秋
,
肖植芬
,
傅兴华
低温物理学报
本文应用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al2 O3基底上制备MgB2/Ta多层膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对MgB2/Ta试样的表面形貌、晶体结构、超导特性及断面结构进行了测量研究.结果表明MgB2/Ta多层膜结构清晰,超导薄膜显示出良好的超导特性.
关键词:
MgB2超导薄膜
,
钽薄膜
,
多层膜
,
混合物理化学气相沉积法
,
磁控溅射技术
周章渝
,
杨发顺
,
王松
,
杨健
,
傅兴华
功能材料
介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响.结果表明,随着基底温度的升高,MgB2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高.
关键词:
MgB2超导薄膜
,
沉积温度
,
混合物理化学气相法(HPCVD)
周章渝
,
杨发顺
,
杨健
,
王松
,
邓朝勇
,
傅兴华
材料导报
超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤.报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水( H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀；另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀.通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2.
关键词:
MgB2超导薄膜
,
布图布线
,
湿法刻蚀
张从尧
,
王银博
,
冯庆荣
低温物理学报
本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度Tc没有大幅下降,超导临界电流Jc得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×105Acm-2.同时上临界场Hc2在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率-dH/dT也有一定的提高.
关键词:
MgB2超导薄膜
,
硅掺杂
,
混合物理化学气相沉积法(HPCVD)
