王英
,
黄文浩
,
肖志平
,
肖方明
,
唐仁衡
,
李伟
材料导报
采用碳热还原法合成LiFe1-xMgxPO4/C(x=0.01、0.02、0.03、0.05、0.10)正极材料,并通过XRD、SEM、恒流充放电等测试方法表征材料的物相结构及电化学性能.结果表明:获得的所有材料均为橄榄石型结构,不同掺镁量对材料的颗粒形貌及颗粒尺寸未有较大影响.当x=0.02时,LiFe0.98 Mg0.02PO4/C材料具有良好的循环稳定性和高倍率放电性能,1C倍率50次循环后,容量保持率可以达到98.6％;以0.2C倍率充放,放电比容量为130.3mAh/g,分别以5C、10C倍率放电,放电比容量仅下降21.3％、28.4％.
关键词:
锂离子电池
,
正极材料
,
LiFePO4
,
Mg掺杂
刘雪婷
,
何崇斌
,
薛异荣
,
焦龙龙
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅰ).024
利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜.在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂.研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4％时,电阻率最小.当掺杂浓度为4％时,薄膜电阻率会随着光功率变化而变化,当光功率＜100W时,电阻迅速减小,超过100W时,减小幅度变小.
关键词:
溶胶-凝胶
,
SrTiO3薄膜
,
Mg掺杂
,
电阻率
孙小华
,
胡宗智
,
吴敏
,
余本芳
,
赵兴中
功能材料
采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3(BSKT)薄膜.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BSKT晶粒尺寸和直流场介电调谐性能的影响,讨论了直流场介电损耗谱演变的原因.结果表明,Mg掺杂BSKT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;在室温1MHz下,BSKT薄膜有最大的调谐量73.6%;6%(摩尔分数)Mg掺杂BSKT薄膜有最低的介电损耗为0.0088;发现直流场下薄膜的介电损耗谱演变一方面可能与薄膜的晶粒尺寸有关,另一方面也可能与测试温度有关.
关键词:
BSKT
,
Mg掺杂
,
溶胶凝胶
,
介电调谐性能
季振国
,
张春萍
,
冯丹丹
,
柯伟青
,
毛启楠
材料科学与工程学报
利用溶胶-凝胶法制备了Zn_(1-x)Mg_xO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征.XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加.I-V特性曲线表明,基于Al/Zn_(1-x)Mg_xO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节.上述现象表明,Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn_(1-x)Mg_xO薄膜中电子的本征跃迁有关.
关键词:
Zn_(1-x)Mg_xO
,
薄膜压敏电阻器
,
Mg掺杂
,
阈值电压
丁少锋
,
范广涵
,
李述体
,
陈琨
,
肖冰
功能材料
利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能.从理论上给出了BeO的能带结构、态密度;BexZn1-xO合金的晶格常数、能带弯曲系数,差分电荷密度;BexZn1-xO合金的稳定性以及Mg掺杂BexZn1-xO合金的特性.计算结果表明:BexZn1-xO合金非常稳定;晶体结构参数与实验相符,并基本符合Vegard's law(维加德定律);能带弯曲系数非常大(5.6eV左右);掺入适量的Mg原子不仅可以解决晶格失配问题、增大band off-set(能带偏移),还可以提高BexZn1-xO合金的稳定性;Be原子成为间隙杂质的可能性很小.BexZn1-xO合金可以作为ZnO/MgxZn1-xO超晶格和量子阱的最佳材料.
关键词:
BeZnO
,
密度范函
,
Mg掺杂
,
第一性原理
郑亚林
,
徐光亮
,
赖振宇
功能材料
采用微波水热法制备 (Ni0.30Cu0.20Zn0.50)Fe2O4·xMg(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04)粉末,并用该纳米粉在900℃/4h下,烧结形成了致密的陶瓷体.对低温烧结掺Mg的Ni-Cu-Zn铁氧体的成相,致密化过程及Mg含量对样品显微结构和电磁性能的影响进行了研究.研究结果表明,在Mg含量为0.01～0.04范围内,掺Mg可以影响样品的晶胞参数,增加样品的烧结密度并且改善样品的微观结构和电磁性能.其中Mg含量为0.04时,样品的晶粒尺寸大而均匀,初始磁导率、电阻率、Q值比其它掺量的高.
关键词:
Mg掺杂
,
Ni-Cu-Zn铁氧体
,
烧结性能
,
磁性能
刘文刚
,
许云华
,
杨蓉
,
任冰
硅酸盐通报
以Li2SiO3、Mn(CH3COO)2·4H2O和Mg(CH3COO)2·4H2O为原料,采用高温固相反应法成功合成出Li2Mn0.95Mg0.05SiO4锂离子电池正极材料.采用XRD、扫描电镜等技术分析了合成粉末的相组成、结构和微观形貌,利用电池测试仪测试了正极材料的电化学性能.研究结果表明,固相合成的粉末主相为Li2Mn0.95Mg0.05SiO4,同时存在少量的杂质,产物表面形貌、粒度均与未掺杂样品类似,二者均为非球形颗粒,颗粒尺寸约为100～500 nm.电化学测试结果表明,Mg掺杂后,正极材料的可逆容量和循环寿命都得到提高.正极材料电化学性能提高的机理在于Mg掺杂稳定了Li2MnSiO4正极材料的结构.
关键词:
锂离子电池
,
正极材料
,
Li2MnSiO4
,
Mg掺杂
雷哲锋
,
王发展
,
王欣
,
陈霞
,
王博
人工晶体学报
采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at％的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射( UV NBE)从纯ZnO的3.26eV红移到3.20 eV附近.应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M =Cd,Mg)单壁纳米管的电子结构.分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移；而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性.
关键词:
ZnO纳米管
,
Cd掺杂
,
Mg掺杂
,
红移
王华
,
黄竹
,
许积文
,
杨玲
人工晶体学报
以自制MgxZn1-xO:Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO:Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO:Al薄膜结构和光电性能的影响.X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO:Al薄膜为立方结构.当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域.退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600 ℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移.
关键词:
MgxZn1-xO:Al
,
紫外透明导电薄膜
,
Mg掺杂
,
光电性能
陈敬峰
,
杜丕一
,
覃莹
,
翁文剑
,
韩高荣
稀有金属材料与工程
利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb0.3Sr0.7(Ti1-xMgx)O3-x(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能.结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密.Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定.薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象.薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍.材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高.
关键词:
PST薄膜
,
射频磁控溅射
,
Mg掺杂
,
介电性能
