祁慧
,
高勇
,
余宁梅
,
马丽
,
安涛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.015
提出了在SiGe/Si异质结开关功率二极管的本征i区中采用掺杂浓度三层渐变式结构.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正向I-V特性基本不发生改变的前提下,与i区固定掺杂结构相比具有更好的反向恢复电流与反向恢复电压特性,尤其软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.还对渐变掺杂所得到的优越性能进行了分析,从理论上给出了较好的解释.
关键词:
SiGe/Si异质结
,
PIN二极管
,
渐变掺杂
,
Medici
,
软恢复
丁磊
,
许剑
,
韩郑生
,
梅沁
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.010
利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系.计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小.而LDD掺杂能量对K1NK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小.
关键词:
多晶硅薄膜晶体管
,
KINK效应
,
Medici
,
Tsuprem4
吕志娟
,
韩郑生
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.010
基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响.计算结果表明当栅氧层厚度tox=0.07 μm时,碰撞离化产生率和热电子注入电流峰值将达到最大,扩展区掺杂浓度增加,使沟道中横向电场和碰撞离化产生率的峰值分布区域向着栅电极的方向移动,即在应力作用下,热载流子退化的区域向着栅电极的方向漂移.
关键词:
多品硅薄膜晶体管
,
热载流子退化
,
Medici
,
Tsuprem4
