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注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.004

本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显.总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好.由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要.

关键词: SOI , MOSFET , 辐射加固 , 离子注入

宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展

张宏哲 , 王林军 , 夏长泰 , 赛青林 , 肖海林

人工晶体学报

本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景.

关键词: β-Ga2O3 , 晶体生长 , LED , MOSFET , 紫外光探测器

4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究

郜锦侠 , 张义门 , 张玉明 , 汤晓燕

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.012

在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响.该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取.

关键词: 等效沟道厚度 , SiC , 隐埋沟道 , MOSFET , 亚阈特性

单管体硅,SOI及DSOI MOSFET热分析

刘宏伟 , 梁新刚

工程热物理学报

本文简单介绍了SOI和DSOI半导体器件制造技术,并提出了单管体硅,SOI及DSOI MOSFET的热阻模型.进而对体硅,SOI MOSFET器件,特别是DSOI MOSFET的热学特性进行数值计算,比较并分析了其数值计算结果.

关键词: SOI , DSOI , MOSFET , 热阻模型

垂直沟道器件的研究与进展

刘金华 , 黄如 , 张兴 , 周发龙

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.027

介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题.

关键词: 垂直沟道器件 , 硅台刻蚀 , 外延 , MOSFET

High-k材料研究进展与存在的问题

杨雪娜 , 王弘 , 张寅 , 姚伟峰 , 尚淑霞 , 周静涛 , 刘延辉

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.008

随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性.本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题.目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求.但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料.

关键词: High-k材料 , MOSFET , 栅介质 , 薄膜

亚微米DSOI MOSFET非平衡热电耦合模拟

段传华 , 梁新刚

工程热物理学报

本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质.结果表明在栅极靠漏区是器件热电特性变化最为显著,DSOI器件自热效应很小,具有很好的热电特性,在亚微米器件中的确存在非平衡能量状态.

关键词: DSOI , MOSFET , 亚微米 , 非平衡 , 热电耦合

一种高效率的二相位CMOS高压发生器

马先林 , 陈钟鸣 , 王竞 , 杨念钊 , 郭雪峰

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.022

随着电源电压的不断降低和芯片面积的不断减小,电荷泵的效率已成为MOS电荷泵电路设计过程中最为人们关心的问题之一.由于传统的Dickson MOS电荷泵在每个传输管上都有阈值电压的损失,使得它的效率很低.为了解决这一问题,各种电荷泵电路在不断地出现.四相位MOS电荷泵电路自发明以来,得到了广泛的应用,但是它需要产生四个时钟,增大了面积;更为重要的是,由于四相位电荷泵要求在一个周期内提供四个互不重叠的高电平,从而限制了时钟频率的提高.本文在四相位电荷泵的基础上,提出了一种新型的二相位的电荷泵电路,解决了提高效率和增加芯片面积以及时钟频率提升的矛盾.

关键词: MOSFET , 电荷 , 电荷泵 , 效率

新型高k栅介质材料研究进展

章宁琳 , 宋志棠 , 万青 , 林成鲁

功能材料

随着半导体技术的不断发展,MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级.这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性.因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响.本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题.

关键词: MOSFET , 高k材料 , 栅介质