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High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Misfit Dislocations Array

材料科学技术（英文）

关键词: MOCVD生长 , GaAs衬底 , 失配位错 , 锑化镓 , 阵列 , 国际货币基金组织 , 半绝缘砷化镓 , 化学气相沉积法

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