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原词结果 | 译词结果

MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响

詹琰 , 夏冠群 , 赵福川 , 李传海 , 朱朝嵩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.014

研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比.

关键词: 砷化镓 , MESFET , 旁栅效应 , 旁栅阈值电压

高速光纤通信用定时恢复判决电路

詹琰 , 王永生 , 赵建龙 , 夏冠群 , 孙晓玮 , 范恒

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.021

对光纤通信用定时恢复判决电路进行了研究,设计了由1μm耗尽型GaAs金属－半导体势垒场效应晶体管(MESFET)器件构成的判决电路和时钟提取电路。判决电路的基本单元为源耦合场效应晶体管逻辑(SCFL)电路,时钟提取电路由预处理器和锁相环构成。模拟分析表明,时钟提取电路可从输入信号中提取判决电路所需的时钟脉冲,频率达2.5GHz,判决电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决,并经时钟抽样后,输出正确的数字信号,传输速率达2.5Gbit/s。实测电路可正确判决,时钟抽样后,输出正确的数字信号,传输速率达2.5Gbit/s。

关键词: GaAs , MESFET , 判决电路 , 时钟提取电路

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