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一种MEMS压控电容设计及其相位噪声分析

王政 , 刘泽文

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.056

给出了一种MEMS压控电容的设计和相位噪声分析结果.在电容器结构中引入衬底金属层以达到控制寄生电容的目的;使用HFSS进行了上极板开孔对电容的影响的仿真,得到了不影响电容值的最佳尺寸是5微米.在恒寄生电容的假设下分析了MEMS压控电容的相位噪声,在SPICE模型基础上使用HSPICE进行了相位噪声仿真,分析发现布朗运动所产生的相位噪声的典型值是-176dBc/Hz,环境声波造成的相位噪声的典型值是-137dBc/Hz.

关键词: MEMS压控电容 , 可控寄生电容 , 刻蚀孔 , 相位噪声