张开成
,
丁莉莉
,
庄承钢
,
陈莉萍
,
陈晋平
,
冯庆荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.023
我们采用混合物理化学气象沉积方法(简称HPCVD)方法在(0001)晶向的Al 2O 3衬底上成功的沉积了1.3微米厚的MgB 2超导厚膜.电性测量表明这种厚膜具有40.2 K的超导转变温度,转变宽度为0.15 K,绝对零度时 H c 2(0)为13.7 T,同时剩余电阻率达到RRR = 11.磁性测量表明这种厚膜在5 K和零场的条件下具有5×10 6A/cm 3的高临界电流密度.
关键词:
MgB2超导厚膜
,
R～T曲线
,
SEM图
,
M～T曲线
戴昱
,
练子琪
,
王晨
,
冯庆荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.009
我们通过固态反应法制备了MgxB2(x=0.2,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4,1.8,2.2,2.6)系列超导样品.用四引线法测量了每一个样品在制备烧结过程中的高温R～T曲线.由这些曲线的升温阶段数据得知MgxB2系列样品的起始成相温度Tonset随着x值的增加而降低.由它们的X光衍射图可知,x≤1.0时,没有Mg和MgO的杂相峰;到x＞1.0后,随x值的增大,杂相Mg和MgO的衍射峰强度逐渐增强.它们的低温R～T曲线表明随x值的增加,正常态电阻减小,起始超导转变温度在39.3 K到39.9 K之间.综合Tc(onset)和△Tc,Mg1.4B2样品呈现出最好的超导状态.这些样品的单位质量M～T测量数据表明起起转变温度处于37.4～38.6 K之间,且Mg1.4B2样品呈现出最高的磁测Tc(onset)=38.60 K.在Mg含量x大于或低于1.4时,磁测Tc(onset)均小于此值.综合R～T和M～T这两种测量,为得到高Tc的MgB2超导块材,胚体MgB2的配比应取x=1.4为好.
关键词:
MgxB2
,
高温、低温R～T曲线
,
SEM图
,
X-光衍射图
,
M～T曲线
万鑫
,
李芬
,
聂瑞娟
,
马小柏
,
冯庆荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.013
本文报道了用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD)在铜衬底上生长出了MgB2超导晶须.这些晶须几乎都是以垂直或接近垂直于衬底表面生长,互不接触.M～T测量给出了这些MgB2晶须的磁超导转变温度是39.0 K,但无法测得其具有超导转变温度值的R～T曲线.经过与铜衬底MgB2超导膜的相关数据比较和计算也确认了这些MgB2超导晶须的确实性.
关键词:
MgB2超导晶须
,
SEM图
,
XRD衍射图
,
M～T曲线
孟胜
,
张从尧
,
冯庆荣
低温物理学报
通过混合物理化学气相沉积法(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD),我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB_2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温度是41.4K,转变宽度为0.5K,剩余电阻比率RRR～7.磁性质测量表明5K和零场下样品的临界电流密度达到了1.7×10~5A/cm~2.
关键词:
混合物理化学气相沉积法
,
MgB_2超导厚膜
,
R～T曲线
,
M～T曲线
,
M～H曲线
,
SEM图
