彭观良
,
庄漪
,
邹军
,
王银珍
,
刘世良
,
周国清
,
周圣明
,
徐军
,
干福熹
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.004
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征.结果表明LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1.
关键词:
晶体生长
,
提拉法
,
γ-LiAlO2
,
LiAl1-xGaxO2
,
掺质
