蒋婧思
,
李强
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163111.1055
为了在 TFT 工厂的设计、建设及运营阶段采取有针对性的节能降耗措施，有效降低器件制备过程中的能耗，本文根据我院多年从事 TFT 生产线节能评估工作的经验数据，针对不同技术路线，选取具有代表性的 TFT-LCD 及AMOLED 生产线，并对其能耗进行对比分析，以讨论不同技术路线对 TFT-LCD 及 AMOLED 显示器件生产能耗的影响。分析结果表明：阵列制备是最主要用能工序，其制备复杂程度可采用光罩次数(Mask)表征。随着光罩次数的增加，器件制造对电力、氮气、新鲜水等能源及耗能工质的需求呈急剧增长：采用10-13Mask 技术的 LTPS 及 AMOLED 显示器件，其综合能耗达到 a-Si 及 Oxide 技术路线的约350％之多；在不同技术路线下，电力均为最主要的用能需求，其消耗量占总能耗的80％~87％。能耗的增加导致用能成本的大幅上升。在国家大力提倡绿色经济的环境下，建议各大厂商采取科学有效的能耗管控措施，以降低能源消耗及用能成本，实现产业的健康可持续发展。
关键词:
TFT
,
LTPS
,
IGZO
,
AMOLED
,
综合能耗
,
单位产品能耗
赵淑云
,
孟志国
,
王文
,
郭海成
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.03.007
介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术.该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合.以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充.这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量,使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区.即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内,能形成连续晶畴的多晶硅薄膜,都可作为高质量TFT的有源层.根据晶核定位孔分布形式的不同,可以设计成规则、重复的分布形式,获得正六边形的蜂巢晶体薄膜和准平行晶带晶体薄膜.这些规则形成的晶畴形状与尺寸相同,可准确地控制晶化的过程,具有晶化时间的高可控性和工艺过程的高稳定性,故而适合于工业化生产的要求.利用些技术,当温度为590℃时,可将晶化时间缩短至2 h之内.用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为～55 cm2/V·s,亚阈值斜摆幅为0.6 V/dec,开关电流比为～1×107,开启电压为-3 V.
关键词:
金属诱导晶化
,
规则排列连续晶畴
,
薄膜晶体管
,
低温多晶硅
