张晓欣
,
谢建军
,
范灵聪
,
林德宝
,
陈旭
,
施鹰
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150500
采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+、pr3+共掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu2SiO5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征.结果表明:薄膜样品在1000℃下形成了A-Lu2SiO5纯相;在1100℃下形成了B-Lu2SiO5纯相.经1100℃煅烧后,通过SEM可以观察到薄膜表面均匀、平整、无裂纹,晶粒大小为200～300 nm,旋涂10层的薄膜厚度约为320 nm.从PL谱中可以发现:在共掺杂体系里,pr3+在跃迁过程中,有一部分能量传递给Ce3+离子,使Ce3+产生特征能级跃迁,并且使Ce3+发射强度比单掺杂Ce3+时的发射强度更强.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
LSO薄膜
,
发光
,
旋涂法
,
Ce3+,pr3+共掺杂
