材料期刊网

单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

刘训春 , 陈俊 , 王润梅 , 王惟林 , 李无瑕 , 李爱珍 , 陈建新 , 陈意桥 , 陈晓杰 , 杨全魁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008

制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.

关键词: 单电源 , InGaP/InGaAs , LNA

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/31/1/015005

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/31/2/025003

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/32/8/085014

关键词:

Peng Yangyang , Lu Kejie , Sui Wenquan

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/10/105001

关键词:

Chen Liang , Li Zhiqun

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/10/105009

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/9/095010

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/9/095011

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/35/5/055004

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/35/4/045001

关键词: