杨荣
,
李俊峰
,
钱鹤
,
韩郑生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.011
提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅长的NMOS对应参数则为21.3 GHz和4.8 V;采用开发的局部介质增厚技术后,2 nH、5 nH、10 nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6.5、5.0、4.0,相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4.3、3.2、2.3),分别改善了77%,58%,49%.
关键词:
射频
,
绝缘硅
,
LDMOS
,
NMOS
,
电感
,
结构
,
制造
徐光明
,
郭宇锋
,
花婷婷
,
徐跃
,
吉新春
功能材料与器件学报
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键.本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因；然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理；而后基于这三种技术,对近年来国内外在SOI纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总结,分析了各自的优缺点；最后对未来技术的发展进行了展望.
关键词:
LDMOS
,
超薄SOI
,
界面电荷
,
低k介质
,
纵向耐压
张斌
,
朱文清
,
王中健
功能材料与器件学报
本文针对现代LED驱动芯片对高压元器件的需要,结合SOI衬底技术在功率集成电路上的优势,分析了SOI高压器件的耐压原理,提出500V级SOI高压器件设计方案.在SOI衬底上设计了具有40μm线性渐变掺杂漂移区的LDMOS结构,对器件性能进行了仿真,并开发了与CMOS工艺兼容的制备流程.成功进行实验,测试结果显示,器件击穿电压可达550V,比导通电阻为5.8Ω· mm2 .
关键词:
SOI
,
LED
,
LDMOS
,
高压器件
程新红
,
宋朝瑞
,
杨文伟
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.015
利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB.直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景.
关键词:
图形化SOI技术
,
LDMOS
,
射频功率器件
,
增益
孙智林
,
孙伟锋
,
易扬波
,
吴建辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.015
提出了一种新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没有长时间的高温过程,进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度.模拟结果表明新型P-LDMOS性能得到明显改善,与传统P-LDMOS相比开态导通电阻降低了24.7%,击穿电压提高了17.3%,饱和电流提高了26.7%.
关键词:
LDMOS
,
导通电阻
,
表面注入
,
SOI
