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短切SiCf/LAS复合材料的介电性能

翟晓勇 , 周万城 , 罗发 , 朱冬梅

材料导报

讨论了纤雏长度与热压保温时间对含量为25%(体积分数)的短切SiCf增强LAS玻璃陶瓷复合材料介电性能的影响.在8~12GHz频率范围内,介电性能测试结果表明,随纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料的复介电常数实部ε′增大,而其虚部ε″及介电损耗tgδ减小.当保温时间由10min延长到20min时,复合材料的ε′增大,而其ε″与tgδ均减小;且保温20min时,其ε′、ε″与tgδ均已接近适合损耗微波能量的数值.复合材料有望成为电损耗型宽带微波损耗材料.

关键词: 复合材料 , 短切SiC纤维 , LAS玻璃陶瓷 , 介电性能

热压烧结短切SiCf/LAS复合材料的介电性能

翟晓勇 , 周万城 , 罗发 , 朱冬梅

材料导报

采用热压烧结法制备出致密的短切SiCf增强IAS玻璃陶瓷复合材料,讨论了热压保温时间与纤维长度对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8~12GH2之间,复合材料的复介电常数实部ε'由基体的7.6上升到10~100,虚部ε"由基体的0.34上升到60~140,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1~40,并具有明显的频散效应.当保温时间由10min增加到20min时,复合材料ε'增大,ε"与tgδ减小.保温时间10min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε'减小,ε"先减小后增大,而tgδ增大;保温时间20min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε'先减小后增大,ε"与tgδ则先增大后减小.复合材料具有成为电损耗型宽带吸波材料的潜力.

关键词: 复合材料 , 短切SiC纤维 , LAS玻璃陶瓷 , 介电性能

SiCf/LAS玻璃陶瓷基复合材料的界面

罗发 , 周万城

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2000.01.005

详细评述了SiC f/LAS玻璃陶瓷基复合材料的界面.该界面是在热压过程中形成的,由富碳层或富碳层和碳化物层构成,这些界面层的存在导致了界面的弱结合.界面具有很好的热相容性.在惰性气氛或还原性气氛中,界面具有很好的热稳定性.在高温氧化性气氛中,界面层很快因氧化而消失,导致纤维与基体间的强结合,使材料发生脆断.

关键词: SiC纤维 , LAS玻璃陶瓷 , 复合材料 , 界面

SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性

罗发 , 周万城 , 焦桓 , 赵东林

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2003.03.020

采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2~12.4 GHz频率范围内的微波介电特性.结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此外还与烧结温度有关.随着烧结温度的提高,复合材料介电常数和介电损耗均随之增大.SiC(N)/LAS对电磁波的损耗作用明显优于同体积分数的纳米SiC(N)与石蜡混合体,这与烧结过程中形成的碳界面有关.

关键词: 纳米SiC(N) , LAS玻璃陶瓷 , SiC(N)/LAS复合材料 , 介电常数

SiC(N)/LAS吸波材料吸波性能研究

罗发 , 周万城 , 焦桓 , 赵东林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011

研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强.

关键词: 纳米SiC(N) , LAS玻璃陶瓷 , 介电常数 , 界面层 , 吸波材料

中间层厚度对LAS玻璃陶瓷与C/C复合材料连接强度的影响

任晓斌 , 李贺军 , 卢锦花 , 郭领军 , 王杰 , 宋忻睿

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00847

采用不同厚度的MgO-Al2O3-SiO2(MAS)玻璃作为中间层,对表面改性炭/炭(C/C)复合材料与Li2CO3-Al2O3-SiO2(LAS)玻璃陶瓷进行热压连接,重点研究了中间层厚度对接头强度的影响,并利用扫描电子显微镜(SEM)对连接界面及剪切断口的微观组织和形貌进行了分析.结果表明:没有添加中间层时,接头强度仅为10MPa;采用MAS玻璃作为中间层时,接头室温剪切强度随着中间层厚度的增加先增大后减小,当中间层厚度为80μm时,获得的接头剪切强度最大,为26.61MPa.

关键词: C/C复合材料 , 中间层厚度 , LAS玻璃陶瓷 , 剪切强度

短切SiC_f/LAS复合材料的显微结构与介电性能

翟晓勇 , 周万城 , 罗发 , 朱冬梅

稀有金属材料与工程

采用热压烧结法制备出致密的短切SiC_f增强LAS玻璃陶瓷复合材料,并讨论保温时间与热压压力对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8~12 GHz之间,复合材料复介电常数实部ε′由基体的7.6上升到10~100,虚部ε″由基体的0.34上升到40~160,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1~20,并具有明显的频散效应.随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料ε′增大,ε″与tgδ减小.此外,断口形貌的SEM观察表明,随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料界面层变厚.

关键词: 短切SiC纤维 , LAS玻璃陶瓷 , 介电性能

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