王福学
,
薛成山
,
庄惠照
,
艾玉杰
,
孙丽丽
,
杨兆柱
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张晓凯
稀有金属材料与工程
用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究.结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温度增加到600℃时,InN被完全氧化成In2O3.
关键词:
热稳定性
,
InN
,
In2O3
郑春蕊
材料导报
采用催化剂辅助化学气相沉积法,通过固-液-气(V-L-S)机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线.利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征.分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构,纳米线沿[102]方向生长.室温PL光谱表明,制备的InN纳米线在1580nm(0.78eV)处存在很强的无缺陷的带边发射,与六方纤锌矿结构InN单晶发射峰位置一致,表现出良好的光电性能.
关键词:
InN
,
纳米线
,
化学气相沉积
丁少锋
,
范广涵
,
李述体
,
郑树文
,
陈琨
材料导报
InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点.就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述.
关键词:
InN
,
特性
,
应用
,
进展
石相军
,
汪健
,
朱洁
,
侯祥胡
功能材料与器件学报
本文用射频磁控溅射技术,以金属铟为靶材,在石英玻璃上制备出了InN薄膜,溅射气体为氩气(Ar)和氮气(Nz)的混合气体,溅射压强为0.5Pa～1.0Pa.InN晶体呈六方纤锌矿结构,随着压强的不同,晶体取向发生明显的变化,制得的InN薄膜的带隙为2.1eV ～2.3eV.X射线光电子能谱(XPS)和拉曼(Raman)分析氧原子以类似In2O3的形式存在,其存在会引起InN晶体质量变差,致使InN的带隙明显升高.
关键词:
射频磁控溅射
,
InN
,
带隙
,
In2O3
杜江锋
,
赵金霞
,
罗谦
,
于奇
,
夏建新
,
杨谟华
功能材料
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究.所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得.应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响.研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关.
关键词:
GaN
,
椭圆偏振光谱
,
InN
,
Ga2O3
谢自力
,
张荣
,
修向前
,
毕朝霞
,
刘斌
,
濮林
,
陈敦军
,
韩平
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顾书林
,
江若琏
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朱顺明
,
赵红
,
施毅
,
郑有炓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.014
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜.首先以TMIn作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜.X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集.原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并.自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN.我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长.
关键词:
InN
,
预淀积In纳米点
,
MOCVD
