董少光
材料导报
研究了高能粒子辐照对InGaN材料的电子浓度变化和PL光谱强度在不同温度下变化的影响.高能粒子辐照使InGaN材料的电子浓度明显增加,表明辐照损伤在InGaN材料中产生的本征点缺陷主要是类施主点缺陷,高能粒子辐照产生的高浓度本征点缺陷最终将缺陷的Fermi能稳定在EFs处.在低温和室温条件下,InGaN材料的PL光谱随高能粒子辐照剂量的增加而变宽,且PL峰能向高能方向偏移.InGaN材料的PL光谱随辐照剂量的增加而变宽,原因是该材料中电子浓度的增加以及k选择的紊乱.研究结果表明,与一般的太阳能电池材料GaAs和GaInP相比,InGaN材料具有非常优越的抗辐照性能.
关键词:
InGaN材料
,
辐照
,
电子浓度
,
PL光谱
董少光
材料导报
研究了生长在GaN/Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构形态,并通过Raman光谱测定了InGaN合金的晶相,采用分光镜椭圆测量对InGaN合金的光学带隙进行了研究,分析了InGaN合金带隙产生Stokes偏移的本质及原因.AFM显微图表明生长在GaN/Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构晶体质量得到了很好的改善.In-CaN合金的Raman光谱曲线非常微弱,与GaN/Al2O3的Raman光谱曲线几乎完全重叠.通过分光镜椭圆测量可知,InGaN合金的光学带隙Eg随着In含量的增加而减少.InGaN合金在红外区域表现出强烈的光致发光峰,随着Ga含量的增加,光致发光峰表现出较大的蓝移即Stokes偏移.在InGaN合金的中间In组分附近Stokes偏移达到最大值.产生Stokes偏移的主要原因是InN在GaN中具有较低的混溶性.Stokes偏移也可归结为InGaN合金中存在局域态,InGaN合金中栽流子的局域化程度越高,Stokes偏移就越大.
关键词:
InGaN材料
,
光学特征
,
光致发光
,
Stokes偏移
