唐田
,
张永刚
,
郑燕兰
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.012
研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性.通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓.
关键词:
InGaAsSb
,
分子束外延
,
多量子阱
,
光致发光
唐田
,
张永刚
,
郑燕兰
,
唐雄心
,
李爱珍
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.022
基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合.
关键词:
InGaAsSb
,
AlGaAsSb
,
应变
