材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

InGaAlP/InGaP多量子阱中的红外向可见光的上转换

尉吉勇 , 黄柏标 , 于永芹 , 张琦 , 姚书山 , 张晓阳 , 秦晓燕

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.004

利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间分辨表征了此材料的上转换激发态的寿命.波长1064nm向625nm的上转换激发态寿命约为5ns,而1064nm向660nm的上转换激发态寿命约为7ns.通过双光子原理解释了此现象.

关键词: InGaAlP , 量子阱 , 光学上转换 , 双光子吸收

LP-MOCVD生长 InGaA1P外延层In组分控制的动力学分析

文尚胜 , 范广涵 , 廖常俊 , 刘颂豪

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.02.017

本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模型".解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响.

关键词: 低压有机金属化学气相外延 , InGaAlP , 动压力 , In组分

InGaAlP LED发光特性分析

郑智斌

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.06.011

InGaAlP LED发光效率高,性能稳定,应用相当广泛.在InGaAlP LED的应用中,发光特性是相当重要的参数,而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数.介绍了不同的InGaAlP LED芯片结构,分析了其发光特点及封装后的发光特性,讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响.

关键词: 发光二极管 , InGaAlP , 发光特性 , 发光强度 , 半强度角 , 支架

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词