魏全香
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王鹏飞
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任正伟
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贺振宏
材料科学与工程学报
1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值.本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度.在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用.在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长.最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491rim,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点.
关键词:
异变
,
InAs量子点
,
分子束外延
,
发光波长
白红艳
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肖祥江
,
涂洁磊
,
赵沛坤
,
陈创业
材料导报
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜(AFM)对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质量:(1)面密度最高可达7.5×1010 cm-2,而没有应变补偿层的样品的面密度仅为5.8×1010 cm-2;(2)缺陷岛密度可从不采用应变补偿时的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;(3)量子点的均匀性和尺寸也明显改善.此外,不同应变补偿层厚度比较实验结果显示,厚度过高或过低的应变补偿层都不能起到很好的补偿作用,取1～3 nm之间为佳;不同GaInP补偿层组分的比较实验结果表明,Ga组分为0.566的样品补偿效果比0.606的样品更好.
关键词:
InAs量子点
,
GaInP应力补偿层
,
厚度
,
组分
