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Fe/Sn共掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的磁性和输运性质

仝瑞雪 , 周国伟 , 马文睿 , 江凤仙

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.030

采用脉冲激光沉积方法在Al2O3衬底上制备了Fe/Sn共掺杂的(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜,研究了沉积过程的氧气分压对薄膜结构、磁性和输运性质的影响,以揭示其铁磁性来源和机制.(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜为单相立方In2O3结构,Fe和Sn取代了In2O3中In的位置.在不同氧气分压下制备的(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜具有明显的室温铁磁性,随着氧气分压的增加,薄膜的铁磁性减小.输运测量表明,(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜为n型半导体,载流子浓度约为1020 cm-3,在低温时具有明显的磁电阻效应.研究结果表明(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜的铁磁性是本征的,载流子浓度对薄膜的铁磁性有重要影响.

关键词: 脉冲激光沉积 , 稀磁半导体 , In2O3薄膜 , 掺杂 , 磁性

Sol-Gel法制备低阻In2 O3薄膜

全宝富 , 刘凤敏 , 李爱武 , 陈丽华

功能材料

采用sol-gel法制备In2O3薄膜材料,研究了不同制备条件对薄膜电阻的影响;分别用XPS、XRD方法对材料进行了分析,确定了其结构和组成,并用此薄膜材料制作了直热式气敏元件,发现它对乙醇、丁烷气体具有较高的灵敏度.

关键词: sol-gel法 , In2O3薄膜 , 气敏特性

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