刘霞
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曹连振
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蒋红
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宋航
低温物理学报
利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材料.研究了缓冲层退火前后In0.82 Ga0.18As外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓度和迁移率随温度变化的关系,并利用位错散射、极化光学声子散射等对实验数据进行了拟合.结果表明,实验值与理论值符合较好,在较低温度下(＜150 K),位错散射起主要作用,而在较高的温度下(＞250 K),极化光学声子散射占主要地位.
关键词:
In0.82Ga0.18As
,
变温霍尔效应
,
散射机制
