刘家洲
,
陈意桥
,
税琼
,
南矿军
,
李爱珍
,
张永刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.011
报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论.
关键词:
光电探测器
,
分子束外延
,
In0.53Ga0.47As
