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In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究

王军 , 徐悟生 , 王锐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.004

在Ce∶Cu∶LiNbO3晶体中掺进In2O3,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体.对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试,结果表明:In(3mol%)∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3提高两个数量级,其OH-吸收峰由LiNbO3的3484 cm-1移到3508 cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3晶体快三倍.对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体抗光折变能力提高的机理、红外光谱OH-吸收峰紫移的机理进行了研究.

关键词: In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体 , 存储性能 , 响应时间 , 晶体生长