侯俊峰
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李志友
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周科朝
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孙本双
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姜鹤
人工晶体学报
以共沉淀ITO粉制备的陶瓷靶材为溅射靶,采用EDX、XRD、SEM研究了靶材在磁控溅射过程中“结瘤”的化学组分及物相组成,并对不同阶段“结瘤”的微观结构进行表征,探讨了“结瘤”的生长演化过程及形成机理.结果表明:“结瘤”与靶材基体具有相同的化学组成及物相结构,其生长演化分为锥状“结瘤”的形成及生长、锥顶外皮脱落、“结瘤”断裂、断面平滑、诱发新“结瘤”产生5个阶段.溅射过程中的“自溅射”效应使外来杂质颗粒和In2O3分解产生的InO在靶材表面形成的凸起逐渐长大并最终形成“结瘤”.
关键词:
ITO靶材
,
结瘤
,
溅射
,
凸起
李亚静
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刘家祥
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.015
对400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000 ℃温度下煅烧制得的氧化铟锡(ITO)粉体进行X射线衍射分析, 利用Vegard定律分析得到的衍射数据计算出靶材的晶格常数和氧化锡在ITO靶材中的固溶度, 得出ITO靶材中氧化锡的固溶度大小主要与温度有关, 氧化锡相在靶材中的固溶度随着温度的升高而增大的结论.靶材热压烧结降温时, 保持120～150 ℃·h-1的降温速率可以得到纯度为99.995%, 相对密度为99.274%的氧化铟单相ITO靶材.
关键词:
ITO靶材
,
降温速率
,
固溶度
,
相组成
马晓波
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张维佳
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王东新
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孙本双
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钟景明
稀有金属材料与工程
磁控溅射ITO靶材制备ITO透明导电薄膜作为平板显示、太阳能电池、气敏元件等电了器件的电极材料,需要ITO靶材具有高纯度、高均匀性、高密度、高导电性的特点.对比研究了ITO共沉淀粉与In2O3、SnO2单体混合粉同炉烧结ITO靶材的微观组织结构差异,如:晶粒尺寸分布、晶粒形貌、元素分布、烧结速率等.结果表明:单体混合粉的烧结速率要比共沉淀粉的烧结速率高,但是前者烧结ITO靶材的微观组织结构不及后者烧结的均匀性好.对比而言,共沉淀粉更容易获得结构组织均匀的ITO靶材,但前提是要合理的设计烧结工艺抑制烧结过程中In2O3的分解.研究结果将会对提高ITO靶材微观组织均匀性和减少靶材毒化,进而提高靶材生产效率提供有益的参考.
关键词:
ITO靶材
,
ITO共沉淀粉末
,
In2O3-SnO2单体混合粉
,
微观结构
,
烧结机制
张滨
,
孙玉珍
,
王文皓
物理测试
针对一种进口和国产的ITO靶材,用AES(SEM、SAM)、XPS、UPS和XRD进行了比较研究,通过研究发现两种样品的差别,为提高国产靶材的质量,提供一些改进意见.
关键词:
ITO靶材
,
AES
,
XPS
,
UPS
,
SEM
,
XRD
程念
,
刘家祥
稀有金属材料与工程
采用化学共沉淀法制备ITO粉体前驱物,在600℃煅烧粉体前驱物4h,得到粒径为20～30 nm的ITO粉体.添加1％的聚乙烯醇(PVA)造粒,模压成型制备ITO靶材素坯,设置不同的升温速率,在1550℃氧气氛下烧结素坯,得到ITO靶材.研究了烧结过程升温速率对ITO靶材密度和微观组织的影响.结果表明,在低温阶段(0～500℃)升温速率为3℃/min,高温阶段(500～1550℃)升温速率为8℃/min时,ITO靶材相对密度为99.58％,孔洞极少,近乎完全致密,且靶材宏观上无裂纹.
关键词:
ITO靶材
,
升温速率
,
烧结法
,
相对密度
,
微观结构
郭伟
,
王为民
,
马秀华
,
贾铁昆
稀有金属材料与工程
采用单相的ITO复合粉末经放电等离子烧结法(SPS)快速制备了ITO靶材.研究了SPS的主要工艺参数对ITO靶材致密化的影响.结果表明:靶材的相对密度随着烧结温度的升高而增大,在1000 ℃时达到最大值;在1000 ℃下烧结,延长保温时间使相对密度降低;在较低的温度下烧结时,延长保温时间有利于提高靶材的致密度;相对密度随着烧结压力的增加而增大;升温速率过快不利于靶材的致密化.对烧结试样的相组成和化学成分研究表明:不同温度下制备的ITO靶材均有少量的SnO_2相析出,并有不同程度的失氧,铟锡的质量分数略大于ITO原粉中铟锡的质量分数.
关键词:
ITO靶材
,
放电等离子烧结
,
相对密度
王玥
,
刘家祥
,
刘宸
稀有金属材料与工程
采用化学共沉淀法制备ITO前驱物,分别于600及1000℃下热处理前驱物,得到两种ITO粉体.粉体模压成型得到素坯,在400～1550℃内采用烧结法、氧气氛下烧结素坯制备出ITO靶材.对粉体及靶材进行表征和分析,研究了烧结过程中晶粒生长情况、靶材微结构与温度之间关系及靶材的失氧现象.得出600℃粉体为单相ITO固溶体、粒径为15 nm,1000℃粉体有少量SnO2析出、粒径为28 nm且其分散性和晶化程度优于600℃的粉体.两种粉体烧结制备靶材过程符合Coble固相烧结理论,1550℃时晶体出现类似二维成核生长方式的生长台阶.靶材密度随温度升高而增加,1550℃时随保温时间延长而增加.靶材致密化过程由团聚程度及团聚体大小决定,1000℃粉体制备的靶材密度高于600℃粉体所制靶材.两类靶材含氧量均低于理论值,1000℃粉体所制靶材含氧量高于600℃的含氧量.
关键词:
ITO靶材
,
纳米粉体
,
烧结法
