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采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,利用自制的提拉实验设备于石英玻璃片上制得了ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜,并就薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及透光性等进行了研究分析.结果表明:薄膜的方电阻和透光性与提拉速度、提拉次数、热处理温度、冷却方式及Sn原子掺杂量等因素有关.当Sn原子掺杂量为12.5%(质量分数)、提拉速度为80 mm/min、经5次提拉且每次提拉后经550℃热处理(炉外空冷)而最终制得的ITO薄膜的方电阻为110 Ω/□,透光率可达90%以上.用溶胶-凝胶法制备ITO薄膜具有工艺简单可控,成本较低且宜于大面积成膜等优点.

关键词: sol-gel法 , 提拉 , ITO膜 , 透明 , 导电

工艺条件对直流磁控溅射沉积ITO薄膜光电特性的影响

辛荣生 , 林钰

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.026

研究了采用直流磁控溅射法制备ITO透明导电膜时温度、靶材、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响.实验结果表明,用ITO陶瓷靶溅射镀膜要比In-Sn合金靶好,特别是在电阻率上,前者要低一个数量级左右;并由实验结果得到,当温度330 ℃,氧氩比1/40,溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm·min-1左右时,可获得薄膜电阻率1.8×10-4 Ω·cm,可见光透过率80%以上的最佳光电特性参数.

关键词: 磁控溅射 , ITO膜 , 电阻率 , 透光率

ZnO半导体薄膜的研究进展

吕承瑞 , 王小平 , 王丽军 , 雷通

材料导报

介绍了制备氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法等;分析了氧化锌薄膜作为代替透明导电膜(ITO膜)的可行性及这方面的研究进展;阐述了氧化锌薄膜作为一种新的场发射阴极材料应用于平板显示或作为场发射电子源的研究进展,同时综述了其作为发光器件的众多优势.

关键词: ZnO半导体薄膜 , ITO膜 , 场发射阴极材料 , LED

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响

马颖 , 韩薇 , 张方辉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.010

采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜,对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析.研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响,随着热处理温度的增加,ITO膜随机取向增加,晶粒增大,晶格常数在400 ℃时畸变最小.热处理温度为450 ℃时ITO膜的择优取向较弱,晶粒较大,晶格畸变较小,ITO膜的方阻最小.

关键词: ITO膜 , 热处理温度 , X射线衍射分析 , 溶胶-凝胶法

锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响

马颖 , 吕庆莉 , 张方辉 , 袁桃利 , 张麦丽

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.012

以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450 ℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11 %～33 %)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响.用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20 %时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小.

关键词: ITO膜 , 溶胶-凝胶法 , Sn掺杂 , X射线衍射分析