王健
,
熊兵
,
孙长征
,
郝智彪
,
罗毅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.014
深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.
关键词:
干法刻蚀
,
掩膜
,
ICP
,
InP
,
刻蚀端面
邹宇琦
,
李新军
,
徐军
,
干福熹
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.016
运用ICP方法分析了一次蒸馏水和二次蒸馏水中的离子含量.应用二次蒸馏水合成钒酸钇原料,并生长出Nd∶YVO4晶体.采用色谱对原料样品和晶体样品中的杂质元素和杂质基团进行分析,发现钒酸钇晶体内部含有VO,YO,NdO,YVO2,YVO3,Y2O2基团,含K、Na、Ca等碱金属和稀土元素.在晶体中含有杂质离子铯和铅.
关键词:
Nd∶YVO4
,
ICP
,
色谱
,
杂质分析
陈小兰
,
朱嘉斌
,
刘天平
,
周志平
,
王芳
贵金属
用铅试金富集催化剂及含铑废水的铑并用钯作灰吹保护,得到钯、铑合粒.合粒经溶解后,用ICP - AES测定其中的铑.该法的富集效果好,钯基体对测定没有干扰,测定快速、准确,相对标准偏差小于1%(n=7),回收率大于97%.本法可用于含铑0.x% ~0.000x%的测定.
关键词:
分析化学
,
铅试金
,
催化剂
,
铑废水
,
ICP
,
铑
徐安武
,
杨晓勇
,
林辉
,
王昌燧
,
王吉怀
,
梁中合
,
陈星灿
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.1999.03.001
利用岩相鉴定分析及等离子体发射光谱(ICP),对安徽蒙城尉迟寺遗址出土的大汶口文化大口尊陶器的矿物稀土元素地球化学及微结构等进行了分析研究.讨论了大口尊古陶器的稀土元素分布特征.进而探讨了该遗址出土大口尊陶器的产地及古文化交流概况.
关键词:
大口尊古陶器
,
ICP
,
稀土元素地球化学
,
产地
,
古文化交流
王惟林
,
刘训春
,
魏珂
,
郭晓旭
,
王润梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.011
选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步.由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究.虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能.感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点.本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究,GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果.
关键词:
GaAs/AlGaAs
,
ICP
,
选择刻蚀