谭澄宇
,
崔航
,
胡炜
,
刘宇
,
郑子樵
稀有金属材料与工程
利用循环伏安(CV)、计时安培(CA)和电化学阻抗(EIS)研究了纳米Al_2O_3颗粒在不同电位(vs. SCE)下对Ni自硫酸盐镀液在铜基体上电沉积的影响.结果表明,Ni-Al_2O_3体系共沉积的起始电位为:-740 mV左右;在不同的电位下,纳米-Al_2O_3颗粒对镍沉积过程的影响有所差别;在电位-740~ -830 mV范围,与纯Ni沉积相比较,Ni-Al_2O_3体系沉积的峰电流所对应的孕育期tm明显缩短,反映Al_2O_3颗粒在阴极表面有利于镍沉积成核,且促进了电结晶成核.Al_2O_3颗粒吸附在阴极表面可能会阻碍部分离子电荷放电和物质传输过程,尤其在电位-250~ -650 mV范围,致使Ni-Al_2O_3体系沉积阻抗增加.在较高的过电位下,Al_2O_3颗粒的促进作用有所减弱,许多颗粒堆积在电极表面上还可能减小Ni-Al_2O_3沉积的还原反应电流.在电位-890 mV,Ni-Al_2O_3体系电沉积初期阶段的成核过程基本遵循三维的Scharifker-Hill瞬时成核模式.
关键词:
Ni-Al_2O_3薄膜
,
电结晶成核
,
共沉积
,
I-t
,
曲线
