陈进
,
杨莺
,
邢青青
,
张力
,
晁苗苗
,
穆美珊
人工晶体学报
采用(NH4)2S溶液钝化SiC的Si面,借助反向I-V特性间接表征钝化效果,得到了SiC表面最佳的钝化参数:钝化温度60 ℃、钝化时间30 min、NH3·H2O浓度为2.4 mol/L、(NH4)2S浓度为0.22 mol/L.XPS测试结果表明钝化后的6H-SiC表面形成了Si-S键,反向饱和I-V特性表明S钝化降低了表面的态密度.实验结果与第一性原理计算结果相吻合.
关键词:
碳化硅
,
S钝化
,
I-V
,
XPS
耿魁伟
,
罗龙
,
王静
,
郑祥忠
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅰ).004
采用水热法在TiO2薄膜上制备ZnO 纳米花,通过研究氢氧化钠溶度对 ZnO 纳米花生长形貌的影响,并调整工艺以优化ZnO 纳米花形貌；同时把 TiO2/ZnO 复合薄膜光阳极组装成染料敏化太阳能电池,通过测试得出J-V、EIS 曲线.结果表明,基于 TiO2/ZnO 复合薄膜染料敏化太阳能电池开路电压0．80 V,短路电流4．65 mA/cm2,转化效率2．32％；其性能优于单一的TiO2染料敏化太阳能电池.
关键词:
DSSC
,
TiO2/ZnO
,
水热法
,
I-V
,
EIS
张菲
,
朱俊
,
罗文博
,
郝兰众
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48) O3 (PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS).XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长.电流-电压(I-V )测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能.在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级.集成体系的电容-电压(C-V)表现出逆时针窗口特征,反映了铁电极化对二维电子气(2DEG)的调制作用.随着缓冲层厚度的降低,铁电极化对2DEG的调制作用逐渐增强.当MgO缓冲层厚度达到2nm时,C-V窗口达到0.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V.
关键词:
脉冲激光沉积
,
PZT
,
MgO
,
C-V
,
I-V
白旭旭
,
介万奇
,
查钢强
,
王涛
,
傅莉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.018
在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极,研究了在N2氛围退火对Al/CdZnTe接触特性的影响.退火温度在100℃到300℃之间变化,退火时间为5 min.采用Agilent4155c半导体测试仪测试了样品在不同温度退火后的I-V特性.采用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪测试了样品在不同温度退火后的C-V特性.I-V和C-V曲线表明,低温退火会使接触势垒高度增加,理想因子趋近于1,电容值下降为退火前的一半左右.当退火温度高于250℃时,接触势垒高度下降,理想因子偏离1,电容值下降近一个数量级.
关键词:
肖特基
,
Al/CdZnTe
,
I-V
,
C-V
黎传礼
,
俞跃辉
,
陈猛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.021
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧层的质量参数.传统的MOS电容结构测试电学特性应用到SOI圆片是有其局限性的,在本实验中直接利用SOI圆片的SIS(Silicon-Insulator-Silicon)结构,将SOI圆片的无损电学表征方法应用到实际的表征当中去.实验采用自行制备的低剂量超薄SIMOXSOI圆片,得到了比较可靠的实验结果.
关键词:
SIMOXSOI
,
电学表征
,
C-V
,
I-V
,
SIS结构
,
MOS结构
