韦永林
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朱世富
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赵北君
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王瑞林
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高德友
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魏昭荣
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李含东
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唐世红
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.014
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.
关键词:
CZT单晶体
,
I-T特性曲线
,
激活能
,
探测器
,
缺陷能级
