王领航
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董阳春
,
介万奇
功能材料
利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.
关键词:
HgInTe
,
晶体生长
,
垂直布里奇曼法
,
光电半导体材料
,
近红外探测器
杨杨
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王领航
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介万奇
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王亚彬
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傅莉
人工晶体学报
对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果.AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加.相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差.
关键词:
HgInTe
,
化学抛光
,
腐蚀速率
,
表面粗糙度
