刘文波
,
傅莉
,
李亚鹏
,
王晓珍
人工晶体学报
采用电流-电压特性测试和X射线光电子能谱测试对Cu/Hg3In2Te6接触特性及其形成机制进行了研究.研究发现,当所加电压不超过10 V时,Cu/Hg3In2Te6接触的电流-电压特性曲线均呈现出良好的线性关系,表现为欧姆接触特性.经拟合,在1V、3V、5V和10 V电压下的Cu/Hg3In2Te6接触的欧姆特性系数分别为0.99995、0.99981、0.99968和0.99950.当电压增加至12 V及以上时,由于Cu/Hg3In2Te6接触势垒被击穿,导致Cu/Hg3In2Te6欧姆接触被破坏.通过X射线光电子能谱深度剖析,发现界面处的元素存在显著的扩散现象,因而导致界面元素的化学环境发生改变,引起了界面上各元素的结合能发生偏移,其中Cu2p结合能向高能方向偏移0.15 eV,而Te3d结合能向低能方向偏移0.15 eV.研究表明界面元素互扩散是促进Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成的主要原因.
关键词:
Hg3In2Te6
,
欧姆接触
,
X射线光电子能谱
,
界面扩散
王新鹏
,
孙晓燕
,
介万奇
,
罗林
,
王涛
,
傅莉
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼法,生长出直径为30 mm的Hg3In2Te6晶体.通过透射电子显微镜观察Hg3In2Te6晶体和第二相粒子的形貌,并利用选区电子衍射技术分析其物相.结果表明:晶锭基体的物相为Hg0.5In0.33Te;同时观察到了HgTe、In2Te3等第二相,尺寸为10～40 nm.推测晶体发生分解是形成第二相的原因.
关键词:
Hg3In2Te6
,
第二相
,
透射电子显微镜
,
选区电子衍射
张小雷
,
孙维国
,
鲁正雄
,
张亮
,
赵岚
,
丁嘉欣
人工晶体学报
运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极,形成Pt/Hg3In2Te6接触,采用I-V测试仪在120~260 K温度范围内对其I-V特性进行测量.根据热电子发射模型,计算得到了Pt/Hg3In2Te6的肖特基势垒高度.结果表明:Pt/Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触,肖特基势垒高度为0.46 eV.在120~260 K温度范围内,理想因子随温度增大逐渐从2.93减小至1.42.将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器,发现了响应光谱在波长1.55 μm处峰值达到最大,在室温下峰值探测率D* 达到了1011 cm·Hz1/2·W-1.
关键词:
Hg3In2Te6
,
肖特基接触
,
理想因子
,
响应光谱
王新鹏
,
孙晓燕
,
介万奇
,
罗林
,
王涛
,
傅莉
功能材料
采用垂直布里奇曼法,成功生长出大直径Hg3In2Te6(θ=30mm)晶体.通过傅立叶红外透射光谱测试了晶锭不同部位的红外透过率,并利用X射线双晶摇摆曲线表征了晶体的结晶质量.结果表明,定向切割晶片为(111)面单晶,衍射峰位于θ=12.1665°处,半峰宽为0.0760°;中部单晶片红外透过率平均值为50%,接近Hg3In2Te6晶体的红外透过率最大值57%.位错和成分非均匀性是造成晶锭不同部位红外透过率差异的主要因素.
关键词:
Hg3In2Te6
,
大直径晶体生长
,
垂直布里奇曼法
,
摇摆曲线
,
红外透射光谱
