向鑫陈长安刘柯钊罗丽珠刘婷婷王小英
金属学报
doi:DOI:10.3724/SP.J.1037.2009.00590
用离子注入技术实现了Al表面C元素的掺杂, 并利用XPS, XRD, TEM和SEM研究了C掺杂对Al中离子
注入He行为的影响. 结果表明, 掺杂的C在Al表面形成了Al4C3, 随着C掺杂量的增加, Al表面组织的择优取向
和晶胞体积发生改变, 从而影响了Al中的He离子注入行为. 预先掺杂的C对He离子注入Al表面的鼓泡行为有重
要影响, 其影响程度与掺杂剂量有关. 小剂量C掺杂后, 能有效抑制鼓泡的长大, 并使Al表面鼓泡均匀分布; 更高
剂量C掺杂后, C对表面鼓泡的抑制作用减弱, 甚至加剧He离子的辐照损伤, Al表面出现孔洞和剥落现象. 掺杂的
C对Al基体的微观结构也有很大影响.
关键词:
Al
,
C doping
,
He behavior
,
blistering
,
microstructure
向鑫
,
陈长安
,
刘柯钊
,
罗丽珠
,
刘婷婷
,
王小英
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00590
用离子注入技术实现了Al表面C元素的掺杂,并利用XPS,XRD,TEM和SEM研究了C掺杂对Al中离子注入He行为的影响.结果表明,掺杂的C在Al表面形成了Al_4C_3,随着C掺杂量的增加,Al表面组织的择优取向和晶胞体积发生改变,从而影响了Al中的He离子注入行为,预先掺杂的C对He离子注入Al表面的鼓泡行为有重要影响,其影响程度与掺杂剂量有关,小剂量C掺杂后,能有效抑制鼓泡的长大,并使Al表面鼓泡均匀分布;更高剂量C掺杂后,C对表面鼓泡的抑制作用减弱,甚至加剧He离子的辐照损伤,Al表面出现孔洞和剥落现象,掺杂的C对Al基体的微观结构也有很大影响,
关键词:
Al
,
C掺杂
,
He行为
,
鼓泡
,
微观结构
