贾秀军
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张崇宏
,
张丽卿
,
杨义涛
,
张勇
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韩录会
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徐超亮
,
张利民
原子核物理评论
分别进行了2.3 MeV20Ne8＋离子和5.0 MeV84Kr19＋离子辐照GaN样品的实验,并对实验样品进行了HRXRD的分析。结果发现,随着这两种离子辐照剂量的增大,GaN的HRXRD谱（0002）衍射峰的峰位出现了向小角侧有规律的移动,并在较高剂量时衍射峰发生分裂。同时,对衍射峰的峰位的移动和峰形的变化等现象反映的辐照损伤机制进行了研究,并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。
关键词:
GaN
,
HRXRD
,
辐照损伤
梅斌
,
徐刚毅
,
李爱珍
,
李华
,
李耀耀
,
魏林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.007
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料.利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好.
关键词:
高分辨X射线衍射
,
InGaAs
,
InAlAs
,
错向角
,
摇摆曲线
,
倒空间mapping
